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高低温真空探针台测试晶圆

更新时间:2026-02-25      点击次数:39

在半导体制造和微电子器件研发中,电学测试是确保产品质量的关键。而高低温真空探针台,正是这一环节中的设备。它能在真空环境下,对芯片、晶圆等微纳器件进行电学测量,广泛应用于材料研究、失效分析和量产前验证等多个阶段。

一、为什么需要真空环境?

在大气环境下进行低温测试时,空气中的水汽容易凝结在晶圆表面,导致漏电或探针接触不良,影响测试准确性。而在高温测试(如300℃~500℃)中,氧化现象会加剧,可能导致器件电性漂移甚至物理形变。因此,真空探针台通过分子泵和涡旋泵抽走水汽和氧气,确保测试环境的纯净与稳定。

二、优势:真空与温度的协同控制

现代真空探针台具备真空-温度协同控制能力,可在30分钟内达到10⁻⁶ torr的高真空度,并支持液氮制冷与电加热复合控温,温控精度高达±0.1K,覆盖从77K到450K甚至更宽的温度范围,满足从低温到高温的多种测试需求。

三、多通道拓展

真空屏蔽腔体设计有效降低电磁干扰,支持皮安级微弱电流和μΩ级电阻的测量。设备标配4个探针臂,可扩展至6个,支持四线法测试、射频探针和光电协同测试,满足复杂器件的多参数测量需求。

四、应用场景

材料研发:在真空环境下测试钙钛矿、氧化镓等新型材料的高低温电学性能。

失效分析:结合SEM或FIB,对芯片短路、漏电等问题进行微米级定位。

真空探针台.jpg


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