在半导体与晶圆工艺升级进程中,退火工序是平复晶格瑕疵、释放薄膜应力、优化器件电学性能与良率的关键环节。华测仪器针对晶圆热处理需求,推出Huace-800G 真空晶圆退火炉,适用于高洁净、高准度的半导体晶圆高温热处理场景打造。
该设备在高真空环境下对半导体晶圆进行准确高温热处理,隔绝氧化、污染与杂质附着,为工艺进程提供洁净的工艺环境。整机采用红外反射式加热技术,热效率高、热响应快,温度覆盖RT~1250℃,升温速率上限可达100℃/s,可满足多元工艺需求。
设备搭载真空系统,可实现10^-3Pa~10^-6Pa真空度,全程隔绝空气与有害杂质,减少晶圆表面污染与瑕疵。设备采用PID温度控制,同时采用移相触发技术确保试验温度,控温精度达 ±1℃,实现晶圆级温度均匀性,确保整片晶圆受热一致、工艺重复性优异。
在适配性方面,设备标准兼容6英寸晶圆,同时支持150×150mm样品,兼顾科研实验与小批量量产需求。
凭借高性能真空、升降温、高温控精度与良好兼容性,Huace-800G 普遍应用于硅晶圆、半导体、电子材料、陶瓷材料等领域,可支撑离子注入退火、金属硅化物形成、应力消除等工艺,是半导体器件研发、功率器件制造等材料的热处理装备。
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