聚焦半导体介质可靠性|表面电位衰减测试系统表征封装材料电荷行为
功率半导体器件的栅极介质、环氧封装材料,在电场作用下会捕获空间电荷,陷阱电荷累积会造成器件阈值漂移、漏电流加大,影响器件长期可靠性。华测仪器表面电位衰减测试系统,面向半导体封装介质,实现表面电荷动态衰减与陷阱能级定量解析。
系统高压极化单元可完成试样可控充电,温控平台模拟器件高温工作环境;高速电位采集单元捕捉充电后电位衰减全过程,软件自动解析陷阱密度、能级参数,直观对比不同填料、不同工艺封装材料的电荷存储与脱陷特性,帮助研发人员定位电荷相关失效诱因。
银 / 黄铜材质多规格电极可适配块状、片状封装试样;整机集成化箱体设计,操作便捷,试验数据可导出用于研发报告。设备既适用于实验室新材料预研,也可用于封装工艺优化对比,助力国产半导体封装介质可靠性提升。
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